LPDDR5 la dernière-née de la gamme des DRAM signé Samsung

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Samsung Electronics Co., Ltd., leader mondial de la technologie de mémoire avancée, a annoncé aujourd’hui avoir développé avec succès les premières mémoires vives dynamiques DRAM LPDDR5 8 Go de catégorie 10 nanomètres (nm)*. Depuis l’introduction des premières LPDDR4 8 Gb en production de masse en 2014, Samsung prépare le passage à la norme LPDDR5 qui sera utilisée pour la 5 G et les applications mobiles avec intelligence artificielle (IA).

La puce LPDDR5 8 Go nouvellement développée est la dernière-née de la gamme des DRAM premiums de Samsung qui comprend les DRAM GDDR6 16 Go de catégorie 10 nm (en production de masse depuis décembre 2017) et les DRAM DDR5 16 Go (développés en février).

« Le développement des LPDDR5 DRAM 8 G représente un grand pas en avant pour les solutions de mémoire mobile à faible consommation d’énergie », a déclaré Jinman Han, vice-président senior de la planification des produits de mémoire et de l’ingénierie des applications au sein de Samsung Electronics. « Nous continuerons d’élargir notre gamme de DRAM 10 nm de nouvelle génération en accélérant le passage à une utilisation accrue de la mémoire premium dans le paysage global  ».

Ces nouvelles puces LPDDR5 8 Go peuvent offrir une bande passante allant jusqu’à 6400 Mb/s, elles sont donc en moyenne 1,5 fois plus rapides que les puces DRAM qui équipent les appareils mobiles de pointe actuels (LPDDR4X à 4266Mb/s). Avec l’augmentation du taux de transfert, les nouvelles puces LPDDR5 permettent d’envoyer 51,2 Go de données, soit environ 14 fichiers vidéos en Full HD (3,7 Go chacun), en une seconde.

Les nouvelles DRAM LPDDR5 de catégorie 10 nm seront disponibles en deux variantes : - 6 400Mb/s avec une tension d’exploitation à 1,1 V et 5 500Mb/s à 1,05 V, ce qui en fait la solution de mémoire mobile la plus polyvalente pour les smartphones et les systèmes automobiles de nouvelle génération. Cette amélioration des performances a été rendue possible grâce à plusieurs améliorations architecturales. En doublant le nombre de « réservoirs » de mémoire — subdivisions dans une cellule DRAM — de huit à 16, la nouvelle mémoire peut atteindre une vitesse beaucoup plus élevée tout en réduisant la consommation d’énergie. La puce LPDDR5 8 Go utilise également une architecture de circuit très avancée, à vitesse optimisée, qui vérifie et garantie les performances ultra haute vitesse de la puce.

Afin de maximiser l’économie d’énergie, la puce LPDDR5 10nm a été conçue pour abaisser sa tension en fonction de la vitesse de fonctionnement du processeur d’application correspondant, lorsqu’il est en mode actif. Elle a également été configurée pour éviter d’écraser des cellules avec des valeurs ’’ 0’. En outre, la nouvelle puce LPDDR5 offrira un « mode veille prolongée », qui réduit la consommation d’énergie d’environ la moitié comparé au « mode inactif » de la DRAM LPDDR4X actuelle. Grâce à ces fonctionnalités à faible consommation, la DRAM 8 Go LPDDR5 permet de réduire jusqu’à 30 % la consommation d’énergie, optimisant ainsi les performances des appareils mobiles et prolongeant la durée de vie de la batterie des smartphones.

Grâce à la capacité de sa bande passante et à son efficacité énergétique, la LPDDR5 permettra de faire fonctionner les applications d’IA et d’apprentissage automatique, et sera compatible UHD pour les appareils mobiles dans le monde entier.

Samsung, en collaboration avec les principaux fournisseurs de puces au monde, a achevé les tests fonctionnels et la validation d’un prototype de DRAM LPDDR5 8 GB, composé de huit puces LPDDR5 8 Gb. Mettant à profit sa ligne de fabrication dernier cri à Pyeongtaek, en Corée, Samsung prévoit de lancer la production de masse de ces nouvelles générations de puces DRAM (LPDDR5, DDR5 et GDDR6) pour répondre aux demandes de ses clients dans le monde entier .

Dernière modification Lundi, 06 Août 2018 15:07

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